STW10NK80Z
у наявності 15 шт:
7 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 195.00 грн |
| 10+ | 182.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW10NK80Z ST
- MOSFET, N, TO-247
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:800V
- Cont Current Id:9A
- On State Resistance:0.9ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3.75V
- Case Style:TO-247
- Termination Type:Through Hole
- Alternate Case Style:SOT-249
- Max Voltage Vds:800V
- No. of Pins:3
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.9ohm
- Power Dissipation Pd:160W
- Pulse Current Idm:36A
- Rds Measurement Voltage:10V
- Transistor Case Style:TO-247
Інші пропозиції STW10NK80Z за ціною від 129.51 грн до 453.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW10NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STW10NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STW10NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STW10NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW10NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW10NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW10NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW10NK80Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STW10NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 142 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STW10NK80Z | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
STW10NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STW10NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |