STW10NK80Z

STW10NK80Z


STW10NK80Z.pdf
Код товару: 2065
Виробник: ST
Uds,V: 800 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 15 шт:

13 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+195.00 грн
10+182.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW10NK80Z ST

  • MOSFET, N, TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:800V
  • Cont Current Id:9A
  • On State Resistance:0.9ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Max Voltage Vds:800V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.9ohm
  • Power Dissipation Pd:160W
  • Pulse Current Idm:36A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Transistor Case Style:TO-247

Інші пропозиції STW10NK80Z за ціною від 105.50 грн до 463.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW10NK80Z STW10NK80Z Виробник : STMicroelectronics 95620948458293374.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+175.94 грн
3000+172.17 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z STW10NK80Z Виробник : STMicroelectronics 95620948458293374.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+189.47 грн
3000+185.41 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z STW10NK80Z Виробник : STMicroelectronics 95620948458293374.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+212.36 грн
10+208.52 грн
25+166.87 грн
100+143.82 грн
250+122.74 грн
600+112.80 грн
3000+111.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z STW10NK80Z Виробник : STMicroelectronics 95620948458293374.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+229.76 грн
54+225.60 грн
68+180.55 грн
100+155.61 грн
250+132.80 грн
600+122.05 грн
3000+120.48 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z STW10NK80Z Виробник : STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+353.19 грн
8+111.62 грн
22+105.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z STW10NK80Z Виробник : STMICROELECTRONICS 2309900.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+400.94 грн
10+290.62 грн
100+233.82 грн
500+183.48 грн
1000+160.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z STW10NK80Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003020.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.68 грн
30+211.46 грн
120+187.37 грн
510+159.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z STW10NK80Z Виробник : STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.83 грн
8+139.09 грн
22+126.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z STW10NK80Z Виробник : STMicroelectronics stp10nk80z-1851531.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.22 грн
10+449.01 грн
25+233.38 грн
100+195.95 грн
250+169.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z Виробник : ST en.CD00003020.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+118.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z STW10NK80Z Виробник : STMicroelectronics 95620948458293374.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW10NK80Z Виробник : STMicroelectronics 95620948458293374.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.