STW10NK80Z
Код товару: 2065
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,9 Ом
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 195.00 грн |
| 10+ | 182.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW10NK80Z ST
- MOSFET, N, TO-247
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:800V
- Cont Current Id:9A
- On State Resistance:0.9ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3.75V
- Case Style:TO-247
- Termination Type:Through Hole
- Alternate Case Style:SOT-249
- Max Voltage Vds:800V
- No. of Pins:3
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.9ohm
- Power Dissipation Pd:160W
- Pulse Current Idm:36A
- Rds Measurement Voltage:10V
- Transistor Case Style:TO-247
Інші пропозиції STW10NK80Z за ціною від 105.01 грн до 467.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 160W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 123 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V |
на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
STW10NK80Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 160W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STW10NK80Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Zкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 152.34 грн |
| 10+ | 128.71 грн |
| 120+ | 127.42 грн |
| 510+ | 121.64 грн |
| 1020+ | 110.49 грн |
| 2520+ | 105.01 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 152.83 грн |
| 110+ | 129.12 грн |
| 120+ | 127.84 грн |
| 510+ | 122.03 грн |
| 1020+ | 110.84 грн |
| 2520+ | 105.35 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 174.42 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 174.42 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 395.65 грн |
| 10+ | 242.10 грн |
| 30+ | 215.01 грн |
| 60+ | 200.62 грн |
| 120+ | 186.23 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 467.58 грн |
| 30+ | 256.29 грн |
| 60+ | 233.15 грн |
| 120+ | 200.53 грн |
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STW10NK80Z |
![]() |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 133.35 грн |
З цим товаром купують
| 3,3 Ohm 5W 5% (KLS6-SQP-5W-3R3-J) Код товару: 150318
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 3,3 Ом
Потужність: 5 Вт
Точність: ±5%
U роб.макс., В: 750 В
Розміри, мм: 22,0x9,5x9,5; dвив. = 0,8
Тип: вивідні, цементні, дротяні
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 3,3 Ом
Потужність: 5 Вт
Точність: ±5%
U роб.макс., В: 750 В
Розміри, мм: 22,0x9,5x9,5; dвив. = 0,8
Тип: вивідні, цементні, дротяні
у наявності: 734 шт
- 734 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.50 грн |
| 10+ | 4.00 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 1000+ | 3.10 грн |
| 110 Ohm 1% 50ppm 0,6W вив. (FM0207-110RFT-Cinetech) Код товару: 76586
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Cinetech
Вивідні резистори > 0,4 ... 0,6W
Номінал: 110 Ом
Точність: ±1%, ±50ppm
Потужність: 0,6 Вт
U, роб.: 500 В
Габарити: 6,5x2,3 mm; Dвив=0,5 mm
Тип: метало-плівкові
Вивідні резистори > 0,4 ... 0,6W
Номінал: 110 Ом
Точність: ±1%, ±50ppm
Потужність: 0,6 Вт
U, роб.: 500 В
Габарити: 6,5x2,3 mm; Dвив=0,5 mm
Тип: метало-плівкові
у наявності: 1082 шт
- 230 шт - склад
- 172 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 330 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 350 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 600 шт
- 600 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| 3,3 Ohm 5% 0,5W вив. (MFR050SSJTB-3R3-Hitano) Код товару: 55050
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,4 ... 0,6W
Номінал: 3,3 Ом
Точність: ±5%, ±100ppm
Потужність: 0,5 Вт
U, роб.: 200 В
Габарити: 3,2x1,5 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: метало-плівкові мініатюрні
Вивідні резистори > 0,4 ... 0,6W
Номінал: 3,3 Ом
Точність: ±5%, ±100ppm
Потужність: 0,5 Вт
U, роб.: 200 В
Габарити: 3,2x1,5 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: метало-плівкові мініатюрні
у наявності: 3013 шт
- 1943 шт - склад
- 60 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 60 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 950 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.98 грн |
| 1000+ | 0.84 грн |
| UC3844BN Код товару: 34525
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 16...36 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: -40...+150°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 16...36 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: -40...+150°С
у наявності: 210 шт
- 188 шт - склад
- 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 9 шт
- 9 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.50 грн |
| 100+ | 9.40 грн |
| IRFP460APBF Код товару: 22361
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,22 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3520/56
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,22 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3520/56
Монтаж: THT
у наявності: 86 шт
- 67 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5 шт
- 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 142.00 грн |
| 10+ | 133.00 грн |











