STW11NK100Z STMicroelectronics
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW11NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STW, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STW11NK100Z за ціною від 52.80 грн до 360.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 18600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 18600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247 Technology: MDmesh™ Kind of package: tube On-state resistance: 1.38Ω Drain current: 8.3A Power dissipation: 230W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Polarisation: unipolar |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW11NK100Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STW productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 32796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH |
на замовлення 3578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247 Technology: MDmesh™ Kind of package: tube On-state resistance: 1.38Ω Drain current: 8.3A Power dissipation: 230W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 554 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW11NK100Z | Виробник : ST |
N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW11NK100Z | Виробник : ST |
N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
STW11NK100Z Код товару: 72114
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 1000 V Idd,A: 8,3 A Rds(on), Ohm: 1,38 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
| STW11NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |