STW11NK100Z
Виробник: ST
N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 121.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW11NK100Z ST
Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STW, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STW11NK100Z за ціною від 121.11 грн до 652.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW11NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 8755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW11NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 18600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW11NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 18600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW11NK100Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW11NK100Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.3A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 482 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW11NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW11NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW11NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 8755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW11NK100Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STW productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 32286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
STW11NK100Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH |
на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW11NK100Z | ST |
N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Zкількість в упаковці: 30 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STW11NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 64+ | 222.16 грн |
| STW11NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 278.16 грн |
| STW11NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 278.16 грн |
| STW11NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 476.57 грн |
| 30+ | 264.13 грн |
| STW11NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 480.38 грн |
| 2+ | 413.73 грн |
| 10+ | 312.58 грн |
| 20+ | 271.95 грн |
| 30+ | 252.05 грн |
| 60+ | 223.03 грн |
| 90+ | 209.77 грн |
| 120+ | 202.31 грн |
| STW11NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 554.60 грн |
| 10+ | 355.81 грн |
| 100+ | 283.38 грн |
| STW11NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 554.60 грн |
| 40+ | 355.81 грн |
| 100+ | 283.38 грн |
| STW11NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 652.37 грн |
| 10+ | 387.31 грн |
| 100+ | 300.32 грн |
| 600+ | 271.17 грн |
| STW11NK100Z |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 32286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STW11NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STW11NK100Z |
![]() |
Виробник: ST
N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
кількість в упаковці: 30 шт
N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 121.11 грн |






