Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW11NK90Z

STW11NK90Z

en.CD00100569.pdf
Код товару: 207962
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW11NK90Z за ціною від 256.38 грн до 694.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW11NK90Z STW11NK90Z STMicroelectronics stw11nk90z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 36.8A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+505.38 грн
2+440.26 грн
10+348.23 грн
30+290.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK90Z STW11NK90Z STMicroelectronics en.CD00100569.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.08 грн
30+305.10 грн
120+256.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK90Z STW11NK90Z STMicroelectronics en.cd00100569.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+688.90 грн
10+412.44 грн
100+305.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK90Z STW11NK90Z STMicroelectronics en.cd00100569.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+694.47 грн
35+415.78 грн
100+307.97 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK90Z STW11NK90Z STMicroelectronics en.CD00100569.pdf MOSFETs N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK90Z stw11nk90z.pdf
STW11NK90Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 36.8A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+505.38 грн
2+440.26 грн
10+348.23 грн
30+290.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK90Z en.CD00100569.pdf
STW11NK90Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+547.08 грн
30+305.10 грн
120+256.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK90Z en.cd00100569.pdf
STW11NK90Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+688.90 грн
10+412.44 грн
100+305.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK90Z en.cd00100569.pdf
STW11NK90Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+694.47 грн
35+415.78 грн
100+307.97 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NK90Z en.CD00100569.pdf
STW11NK90Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Зарядний пристрій для Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Код товару: 165115
60 Додати до обраних Обраний товар
Зарядний пристрій для Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Блоки та елементи живлення > Зарядні модулі, балансири та BMS
Опис: Зарядний для Li-Po із захистом 18650. роз'єм: type "C. Струм: 1А
4,5...5,5 VDC
4,2 В
Максимальний струм: 1 А
27x17x4 мм
Кількість елементів: 1
Тип пристрою: Зарядний модуль
товару немає в наявності
очікується: 6000 шт
  • 6000 шт - очікується 01.08.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+16.70 грн
100+14.34 грн
1000+11.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UC3844BN
Код товару: 34525
Додати до обраних Обраний товар
description DOC000152425.pdf
UC3844BN
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 16...36 V
Iвих., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп. діапазон: -40...+150°C
у наявності: 214 шт
  • 190 шт - склад
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+12.00 грн
10+10.50 грн
100+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.