Інші пропозиції STW11NK90Z за ціною від 249.83 грн до 692.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW11NK90Z | STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5.8A Pulsed drain current: 36.8A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 980mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STW11NK90Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STW11NK90Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
STW11NK90Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STW11NK90Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STW11NK90Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 36.8A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 36.8A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 510.05 грн |
| 2+ | 444.33 грн |
| 10+ | 351.45 грн |
| 30+ | 292.87 грн |
| STW11NK90Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 568.56 грн |
| 30+ | 316.78 грн |
| 60+ | 289.32 грн |
| 120+ | 249.83 грн |
| STW11NK90Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 687.37 грн |
| 10+ | 411.52 грн |
| 100+ | 304.82 грн |
| STW11NK90Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 692.93 грн |
| 35+ | 414.86 грн |
| 100+ | 307.28 грн |
| STW11NK90Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A
MOSFETs N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| Зарядний пристрій для Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C) Код товару: 165115
62
Додати до обраних
Обраний товар
|
Блоки та елементи живлення > Зарядні модулі, балансири та BMS
Опис: Зарядний для Li-Po із захистом 18650. роз'єм: type "C. Струм: 1А
4,5...5,5 VDC
4,2 В
Максимальний струм: 1 А
27x17x4 мм
Кількість елементів: 1
Тип пристрою: Зарядний модуль
Опис: Зарядний для Li-Po із захистом 18650. роз'єм: type "C. Струм: 1А
4,5...5,5 VDC
4,2 В
Максимальний струм: 1 А
27x17x4 мм
Кількість елементів: 1
Тип пристрою: Зарядний модуль
у наявності: 5619 шт
- 5096 шт - склад
- 503 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 300 шт
- 300 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 16.70 грн |
| 100+ | 14.34 грн |
| 1000+ | 11.95 грн |
| UC3844BN Код товару: 34525
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 16...36 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: -40...+150°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 16...36 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: -40...+150°С
у наявності: 212 шт
- 188 шт - склад
- 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 9 шт
- 9 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.50 грн |
| 100+ | 9.40 грн |