Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW11NM80
STW11NM80

STW11NM80

en.CD00003205.pdf
Код товару: 73261
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW11NM80

  • MOSFET N CH 800V 11A TO-247
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Typ Voltage Vds:800V
  • Cont Current Id:5.5A
  • On State Resistance:350mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-65`C to +150`C

Інші пропозиції STW11NM80 за ціною від 172.47 грн до 555.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
STW11NM80 STW11NM80 STMicroelectronics STx11NM80-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+398.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 STW11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.70 грн
30+247.99 грн
120+206.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 STW11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf description MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.13 грн
10+266.60 грн
100+193.42 грн
600+172.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 STW11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+554.93 грн
42+342.36 грн
100+262.13 грн
600+231.47 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 STW11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.96 грн
10+343.01 грн
100+262.62 грн
600+231.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 ST en.CD00003205.pdf description N-MOSFET 11A 800V 150W 0.4Ω STW11NM80 TSTW11NM80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+221.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 description STx11NM80-DTE.pdf
STW11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+398.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 description en.CD00003205.pdf
STW11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+451.70 грн
30+247.99 грн
120+206.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 description en.CD00003205.pdf
STW11NM80
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+474.13 грн
10+266.60 грн
100+193.42 грн
600+172.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 description en.cd00003205.pdf
STW11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
26+554.93 грн
42+342.36 грн
100+262.13 грн
600+231.47 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 description en.cd00003205.pdf
STW11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+555.96 грн
10+343.01 грн
100+262.62 грн
600+231.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW11NM80 description en.CD00003205.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 11A 800V 150W 0.4Ω STW11NM80 TSTW11NM80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+221.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.