STW120NF10 STMicroelectronics
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 201.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW120NF10 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STW120NF10 за ціною від 145.37 грн до 486.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STW120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW120NF10 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET POWER MOSFET |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STW120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; Idm: 440A Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Drain current: 77A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 312W Polarisation: unipolar Case: TO247 Kind of package: tube Technology: STripFET™ II Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 440A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STW120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STW120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STW120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STW120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; Idm: 440A Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Drain current: 77A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 312W Polarisation: unipolar Case: TO247 Kind of package: tube Technology: STripFET™ II Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 440A |
товару немає в наявності |