
STW12N120K5 STMicroelectronics
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
600+ | 376.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW12N120K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Інші пропозиції STW12N120K5 за ціною від 297.80 грн до 790.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12N120K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
STW12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STW12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STW12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |