STW12N170K5 STMicroelectronics
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 940.14 грн |
| 10+ | 658.32 грн |
| 25+ | 562.91 грн |
| 100+ | 425.67 грн |
| 250+ | 419.80 грн |
| 600+ | 402.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW12N170K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1700V 5A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW12N170K5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STW12N170K5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
| STW12N170K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247 Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 3A On-state resistance: 2.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 37nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 10A Mounting: THT Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
STW12N170K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STW12N170K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1700V 5A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
| STW12N170K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247 Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 3A On-state resistance: 2.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 37nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 10A Mounting: THT Case: TO247 |
товару немає в наявності |