STW12NK80Z
Код товару: 33689
Виробник: STUds,V: 800 V
Idd,A: 10,5 A
Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
Монтаж: THT
у наявності 19 шт:
9 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 132 грн |
10+ | 123 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STW12NK80Z за ціною від 82.81 грн до 451.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STW12NK80Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STW12NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STW12NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STW12NK80Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STW12NK80Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STW12NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STW12NK80Z | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STW12NK80Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STW12NK80Z | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
1000uF 250V ELP 35x40mm (ELP102M2EBB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2999 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 250 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 35x40mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 250 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 35x40mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 185 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 140 грн |
10+ | 132 грн |
100+ | 125 грн |
470uF 16V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 1318 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12,5mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12,5mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 5390 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4 грн |
10+ | 3.5 грн |
100+ | 3.1 грн |
1000+ | 2.6 грн |
1N5408 Код товару: 2135 |
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: ВипрямнийVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: ВипрямнийVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 11382 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.1 грн |
100+ | 1.9 грн |
1000+ | 1.8 грн |
4,7uF 50V ECR 5x11mm (ECR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3138 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 8754 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.3 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.6 грн |
BZV55-C4V7 Код товару: 3642 |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 4,7 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -1.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 4,7 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -1.4mV/K
у наявності: 3348 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.1 грн |
100+ | 0.8 грн |
1000+ | 0.6 грн |