STW12NK80Z


8977ferf7hfw.pdf
Код товару: 33689
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 800 V
Струм стоку Idd, A: 10,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2620/87
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
  • 20 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+132.00 грн
10+123.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW12NK80Z за ціною від 161.03 грн до 448.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.34 грн
30+185.87 грн
120+184.03 грн
510+175.67 грн
1020+161.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+188.84 грн
76+187.37 грн
120+185.51 грн
510+177.10 грн
1020+162.34 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+256.47 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+256.47 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+295.55 грн
10+201.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.67 грн
30+247.22 грн
120+206.64 грн
510+166.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z STMICROELECTRONICS 2307462.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics en.CD00003379.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z en.cd00003379.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+187.34 грн
30+185.87 грн
120+184.03 грн
510+175.67 грн
1020+161.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z en.cd00003379.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+188.84 грн
76+187.37 грн
120+185.51 грн
510+177.10 грн
1020+162.34 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z en.cd00003379.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+256.47 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z en.cd00003379.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+256.47 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STX12NK80Z-DTE.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.55 грн
10+201.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z en.CD00003379.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+448.67 грн
30+247.22 грн
120+206.64 грн
510+166.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z 2307462.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z en.CD00003379.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

UC3843BD1 (SO-8)
Код товару: 14241
5 Додати до обраних Обраний товар
UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвих., A: 1 А
Fosc, kHz: 250 kHz
Темп. діапазон: -65…+150°C
у наявності: 164 шт
  • 110 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
15 Ohm 5W 5% (SQP50JB-15R)
Код товару: 15073
Додати до обраних Обраний товар
SQP_080911.pdf
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 15 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс., V: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
у наявності: 61 шт
  • 12 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 500 шт
  • 500 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
3+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CF1/4W-1K )
Код товару: 13760
2 Додати до обраних Обраний товар
cf_resistor-datasheet.pdf
Виробник: SR PASSIVES
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном, W: 0,25 W
Uроб, V: 250 V
Габарити: 6x2,3 mm; Dвив=0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C
Код товару: 4089
1 Додати до обраних Обраний товар
BYV26 series.pdf
Виробник: Yangjie/LGE
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Зворотна напруга Vrr, V: 600 V
Середній струм Iav, A: 1 A
Час зворотного відновлення Trr, ns: 30 ns
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541 10 00 10
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+2.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
22 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-22R-Hitano)
Код товару: 1679
1 Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 22 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U роб., V: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив=0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
у наявності: 2521 шт
  • 2300 шт - склад
  • 220 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
100+1.50 грн
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.