Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW12NK80Z
STW12NK80Z

STW12NK80Z

8977ferf7hfw.pdf
Код товару: 33689
Виробник: ST
Uds,V: 800 V
Idd,A: 10,5 A
Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
Монтаж: THT
у наявності 33 шт:
26 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+132.00 грн
10+123.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW12NK80Z за ціною від 92.70 грн до 366.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+206.65 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.10 грн
8+116.48 грн
10+115.72 грн
22+109.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+222.55 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+227.58 грн
10+181.96 грн
120+179.22 грн
510+171.08 грн
1020+156.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+246.79 грн
62+197.32 грн
120+194.35 грн
510+185.53 грн
1020+170.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.52 грн
8+145.16 грн
10+138.86 грн
22+131.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMICROELECTRONICS 2307462.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+274.82 грн
10+217.05 грн
100+216.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics stb12nk80z-1850221.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.84 грн
10+297.80 грн
25+203.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW12NK80Z STW12NK80Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.07 грн
30+205.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

470uF 16V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 1318
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
470uF 16V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12,5mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується
Кількість Ціна
3+4.00 грн
10+3.50 грн
100+3.10 грн
1000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408
Код товару: 2135
Додати до обраних Обраний товар

1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 8291 шт
7746 шт - склад
177 шт - РАДІОМАГ-Київ
71 шт - РАДІОМАГ-Львів
164 шт - РАДІОМАГ-Харків
74 шт - РАДІОМАГ-Одеса
59 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+3.00 грн
10+2.10 грн
100+1.90 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1000uF 250V ELP 35x40mm (ELP102M2EBB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2999
Додати до обраних Обраний товар

ELP_080522.pdf
1000uF 250V ELP 35x40mm (ELP102M2EBB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
+1
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 250 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 35x40mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 152 шт
128 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+140.00 грн
10+132.00 грн
100+125.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
4,7uF 50V ECR 5x11mm (ECR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3138
Додати до обраних Обраний товар

ECR_081225.pdf
4,7uF 50V ECR 5x11mm (ECR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 13915 шт
13350 шт - склад
245 шт - РАДІОМАГ-Київ
79 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
70 шт - РАДІОМАГ-Одеса
170 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.30 грн
100+0.90 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C4V7
Код товару: 3642
Додати до обраних Обраний товар

BZV55.pdf
BZV55-C4V7
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 4,7 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -1.4mV/K
у наявності: 5224 шт
4474 шт - склад
95 шт - РАДІОМАГ-Київ
175 шт - РАДІОМАГ-Львів
95 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
285 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.10 грн
100+0.80 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.