STW12NK80Z
Код товару: 33689
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 800 V
Струм стоку Idd, A: 10,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2620/87
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 132.00 грн |
| 10+ | 123.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STW12NK80Z за ціною від 161.03 грн до 448.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW12NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STW12NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STW12NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STW12NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STW12NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STW12NK80Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STW12NK80Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
STW12NK80Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STW12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 187.34 грн |
| 30+ | 185.87 грн |
| 120+ | 184.03 грн |
| 510+ | 175.67 грн |
| 1020+ | 161.03 грн |
| STW12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 188.84 грн |
| 76+ | 187.37 грн |
| 120+ | 185.51 грн |
| 510+ | 177.10 грн |
| 1020+ | 162.34 грн |
| STW12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 256.47 грн |
| STW12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 256.47 грн |
| STW12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 295.55 грн |
| 10+ | 201.48 грн |
| STW12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 448.67 грн |
| 30+ | 247.22 грн |
| 120+ | 206.64 грн |
| 510+ | 166.01 грн |
| STW12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STW12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| UC3843BD1 (SO-8) Код товару: 14241
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвих., A: 1 А
Fosc, kHz: 250 kHz
Темп. діапазон: -65…+150°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвих., A: 1 А
Fosc, kHz: 250 kHz
Темп. діапазон: -65…+150°C
у наявності: 164 шт
- 110 шт - склад
- 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 19 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
| 15 Ohm 5W 5% (SQP50JB-15R) Код товару: 15073
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 15 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс., V: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 15 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс., V: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
у наявності: 61 шт
- 12 шт - склад
- 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 500 шт
- 500 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 5.60 грн |
| 1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CF1/4W-1K ) Код товару: 13760
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SR PASSIVES
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном, W: 0,25 W
Uроб, V: 250 V
Габарити: 6x2,3 mm; Dвив=0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном, W: 0,25 W
Uроб, V: 250 V
Габарити: 6x2,3 mm; Dвив=0,4 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| BYV26C Код товару: 4089
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yangjie/LGE
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Зворотна напруга Vrr, V: 600 V
Середній струм Iav, A: 1 A
Час зворотного відновлення Trr, ns: 30 ns
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541 10 00 10
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Зворотна напруга Vrr, V: 600 V
Середній струм Iav, A: 1 A
Час зворотного відновлення Trr, ns: 30 ns
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541 10 00 10
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.40 грн |
| 22 Ohm 5% 1W вив. (CR100SJTB-22R-Hitano) Код товару: 1679
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 22 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U роб., V: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив=0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
Вивідні резистори > 1W
Номінал: 22 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 1 W
U роб., V: 500 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив=0,64 mm
Тип: вугільні мініатюрні
Температура: -55...+125°C
у наявності: 2521 шт
- 2300 шт - склад
- 220 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.50 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |











