Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW12NK90Z
STW12NK90Z

STW12NK90Z

en.CD00003404.pdf
Код товару: 31985
Виробник: ST
Uds,V: 900 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,88 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113
Монтаж: THT
у наявності 25 шт:
11 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+145 грн
10+ 133 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW12NK90Z ST

  • MOSFET, N TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:11A
  • On State Resistance:0.88ohm
  • Case Style:TO-247
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Voltage Vds:900V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:3V
  • N-channel Gate Charge:113nC
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.88ohm
  • Power Dissipation Pd:230W
  • Pulse Current Idm:44A
  • Rate of Voltage Change dv / dt:4.5V/es
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vgs Rds N Channel:10V
  • Transistor Case Style:TO-247

Інші пропозиції STW12NK90Z за ціною від 136.57 грн до 475.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW12NK90Z STW12NK90Z Виробник : STMicroelectronics STW12NK90Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+226.9 грн
3+ 192.16 грн
6+ 144.81 грн
16+ 136.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK90Z STW12NK90Z Виробник : STMicroelectronics STW12NK90Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 880mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 496 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+272.28 грн
3+ 239.47 грн
6+ 173.77 грн
16+ 163.89 грн
STW12NK90Z STW12NK90Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003404.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+396.26 грн
30+ 302.52 грн
120+ 259.3 грн
510+ 216.3 грн
STW12NK90Z STW12NK90Z Виробник : STMicroelectronics stw12nk90z-1852087.pdf MOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+430.45 грн
25+ 336.41 грн
100+ 250.36 грн
250+ 222.69 грн
600+ 190.41 грн
1200+ 179.21 грн
STW12NK90Z STW12NK90Z Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS29213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11 A, 0.72 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+475.24 грн
10+ 342.2 грн
100+ 276.42 грн
500+ 242.27 грн
1000+ 191.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW12NK90Z Виробник : ST en.CD00003404.pdf Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+145.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW12NK90Z Виробник : ST en.CD00003404.pdf Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+145.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW12NK90Z STW12NK90Z Виробник : STMicroelectronics 812051105735974cd00003404.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12NK90Z STW12NK90Z Виробник : STMicroelectronics 812051105735974cd00003404.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW12NK90Z Виробник : STMicroelectronics 812051105735974cd00003404.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

100uF 50V EXR 10x12mm (low imp.) (EXR101M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2439		 EXR_080421.pdf
100uF 50V EXR 10x12mm (low imp.) (EXR101M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 1910 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3.5 грн
10+ 3 грн
100+ 2.6 грн
1000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
470uF 10V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR471M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 4334		 EXR_080421.pdf
470uF 10V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR471M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
у наявності: 9498 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3 грн
10+ 2.6 грн
100+ 2.2 грн
1000+ 1.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SK3878
Код товару: 56955		 2sk3878-datasheet.pdf
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-65
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2200
Монтаж: THT
у наявності: 85 шт
очікується: 200 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
RHRP8120
Код товару: 57883		 rhrp8120-932962.pdf
RHRP8120
Виробник: Fairchild Semiconductor
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220AC
Зворотня напруга, Vrrm: 1200 V
Прямий струм (per leg), If: 8 A
Падіння напруги, Vf: 3,2 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
у наявності: 162 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+42 грн
10+ 37.8 грн
0,68 Ohm 5% 5W (MOR500SJTB-0R68)
Код товару: 117447		 MOR_080911.pdf
0,68 Ohm 5% 5W (MOR500SJTB-0R68)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 5W (метало-оксидні)
Номінал: 0,68 Ohm
Точність: ±5%
Потужність: 5 W
Напруга: 700 V
Розмір: 17,0x6,0mm; Dвив.=0,76 mm
Тип: метало-оксидні
у наявності: 990 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+5 грн
10+ 4.5 грн
100+ 4 грн