Продукція > STMICROELECTRONICS > STW13N95K3
STW13N95K3

STW13N95K3 STMicroelectronics

en.CD00233894.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.26 грн
10+516.34 грн
25+296.56 грн
100+288.26 грн
250+287.50 грн
600+283.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW13N95K3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW13N95K3 за ціною від 255.47 грн до 486.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW13N95K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00233894.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 40A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+405.48 грн
4+269.61 грн
10+255.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N95K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00233894.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 6A; Idm: 40A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+486.57 грн
4+335.98 грн
10+306.56 грн
300+294.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N95K3 STW13N95K3
Код товару: 57538
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00233894.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N95K3 STW13N95K3 Виробник : STMicroelectronics cd0023389.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N95K3 Виробник : STMicroelectronics cd0023389.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW13N95K3 STW13N95K3 Виробник : STMicroelectronics en.CD00233894.pdf Description: MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.