Інші пропозиції STW13NK100Z за ціною від 309.60 грн до 895.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW13NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW13NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW13NK100Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.2A Power dissipation: 350W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 183 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW13NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW13NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW13NK100Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STW13NK100Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
STW13NK100Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW13NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 13 A, 0.7 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 350W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STW productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NK100Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW13NK100Z TSTW13NK100Zкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 366.61 грн |
| 44+ | 326.32 грн |
| 100+ | 309.60 грн |
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 371.05 грн |
| 10+ | 330.27 грн |
| 100+ | 313.34 грн |
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 524.47 грн |
| 5+ | 426.76 грн |
| 10+ | 398.31 грн |
| 30+ | 373.20 грн |
| 60+ | 359.82 грн |
| 90+ | 352.29 грн |
| 120+ | 345.59 грн |
| 150+ | 340.57 грн |
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 562.41 грн |
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 562.41 грн |
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 895.47 грн |
| 30+ | 519.01 грн |
| 60+ | 478.15 грн |
| 120+ | 416.47 грн |
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW13NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 13 A, 0.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STW13NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 13 A, 0.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW13NK100Z TSTW13NK100Z
кількість в упаковці: 2 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW13NK100Z TSTW13NK100Z
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 328.41 грн |







