Інші пропозиції STW13NK100Z за ціною від 236.03 грн до 960.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW13NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STW13NK100Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STW13NK100Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD Mounting: THT Power dissipation: 350W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: SuperMesh™ Drain current: 8.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO247 On-state resistance: 0.56Ω |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
STW13NK100Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STW13NK100Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH |
на замовлення 492 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
|
STW13NK100Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW13NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 13 A, 0.7 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 350W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STW productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| STW13NK100Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW13NK100Z TSTW13NK100Zкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 455.05 грн |
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 455.05 грн |
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD
Mounting: THT
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 8.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 0.56Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD
Mounting: THT
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 8.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 0.56Ω
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 742.12 грн |
| 4+ | 249.23 грн |
| 11+ | 236.03 грн |
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 883.16 грн |
| 30+ | 511.88 грн |
| 60+ | 471.57 грн |
| 120+ | 410.75 грн |
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
на замовлення 492 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 960.72 грн |
| 10+ | 525.64 грн |
| 100+ | 436.60 грн |
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW13NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 13 A, 0.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STW13NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 13 A, 0.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STW13NK100Z |
![]() |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW13NK100Z TSTW13NK100Z
кількість в упаковці: 2 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW13NK100Z TSTW13NK100Z
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 331.34 грн |







