STW15N80K5

STW15N80K5 STMicroelectronics


709699833909364dm00060560.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW15N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW15N80K5 за ціною від 142.32 грн до 483.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW15N80K5 STW15N80K5 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972597B94E1E28&compId=STx15N80K5-DTE.pdf?ci_sign=3b52adae4a9f04151dd4b0f6be1a804c9d353fef Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.10 грн
3+280.55 грн
4+249.47 грн
10+235.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 STW15N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00060560.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.21 грн
30+213.36 грн
120+179.81 грн
510+144.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 STW15N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00060560.pdf MOSFETs N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.38 грн
10+190.06 грн
100+142.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 STW15N80K5 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972597B94E1E28&compId=STx15N80K5-DTE.pdf?ci_sign=3b52adae4a9f04151dd4b0f6be1a804c9d353fef Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+400.67 грн
2+366.50 грн
3+336.66 грн
4+299.36 грн
10+282.15 грн
20+271.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 STW15N80K5 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000145971-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STW15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+478.09 грн
10+389.68 грн
100+302.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 STW15N80K5 Виробник : STMicroelectronics 709699833909364dm00060560.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+483.25 грн
10+417.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 STW15N80K5 Виробник : STMicroelectronics 709699833909364dm00060560.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 STW15N80K5 Виробник : STMicroelectronics 709699833909364dm00060560.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5 Виробник : STMicroelectronics 709699833909364dm00060560.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.