Продукція > STMICROELECTRONICS > STW18N60DM2
STW18N60DM2

STW18N60DM2 STMicroelectronics

stw18n60dm2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW18N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW18N60DM2 за ціною від 93.21 грн до 275.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW18N60DM2 STW18N60DM2 Виробник : STMicroelectronics STW18N60DM2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.94 грн
8+120.79 грн
21+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60DM2 STW18N60DM2 Виробник : STMicroelectronics STW18N60DM2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.13 грн
8+150.52 грн
21+136.69 грн
510+132.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60DM2 STW18N60DM2 Виробник : STMicroelectronics STW18N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.43 грн
30+131.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60DM2 STW18N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stw18n60dm2-1852158.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.71 грн
10+268.39 грн
25+134.31 грн
100+123.30 грн
250+103.48 грн
600+95.41 грн
1200+93.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stw18n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.