Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW18N60M2

STW18N60M2

en.DM00086800.pdf
Код товару: 155497
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW18N60M2 за ціною від 90.82 грн до 269.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW18N60M2 STW18N60M2 STMicroelectronics stw18n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+142.90 грн
117+121.62 грн
120+118.47 грн
510+109.09 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 STW18N60M2 STMicroelectronics stw18n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.39 грн
30+122.90 грн
120+119.71 грн
510+110.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 STW18N60M2 STMicroelectronics STx18N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+238.80 грн
10+143.09 грн
30+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 STW18N60M2 STMicroelectronics en.DM00086800.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.03 грн
30+141.91 грн
120+115.87 грн
510+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 STW18N60M2 STMicroelectronics en.DM00086800.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 stw18n60m2.pdf
STW18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
99+142.90 грн
117+121.62 грн
120+118.47 грн
510+109.09 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 stw18n60m2.pdf
STW18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+144.39 грн
30+122.90 грн
120+119.71 грн
510+110.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 STx18N60M2-DTE.pdf
STW18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.80 грн
10+143.09 грн
30+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 en.DM00086800.pdf
STW18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.03 грн
30+141.91 грн
120+115.87 грн
510+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 en.DM00086800.pdf
STW18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.