STW18N60M2

STW18N60M2 STMicroelectronics


971679743907515dm0008.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW18N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW18N60M2 за ціною від 88.51 грн до 231.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW18N60M2 STW18N60M2 Виробник : STMicroelectronics stw18n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+115.92 грн
30+98.66 грн
120+96.10 грн
510+88.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 STW18N60M2 Виробник : STMicroelectronics stw18n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+123.55 грн
117+105.15 грн
120+102.42 грн
510+94.32 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 STW18N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00086800.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.58 грн
10+183.59 грн
25+110.35 грн
100+97.85 грн
250+89.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 STW18N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00086800.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.58 грн
30+151.02 грн
120+122.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2
Код товару: 155497
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00086800.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 STW18N60M2 Виробник : STMicroelectronics stw18n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 Виробник : STMicroelectronics 971679743907515dm0008.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 STW18N60M2 Виробник : STMicroelectronics STx18N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2 STW18N60M2 Виробник : STMicroelectronics STx18N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.