
STW18N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 289.67 грн |
30+ | 186.68 грн |
120+ | 157.60 грн |
510+ | 144.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW18N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW18N65M5 за ціною від 120.65 грн до 290.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STW18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STW18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STW18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 198mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 31nC Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STW18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 198mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 31nC Pulsed drain current: 60A |
товару немає в наявності |