Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW18NK80Z
STW18NK80Z

STW18NK80Z

en.CD00003384.pdf
Код товару: 1659
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-247
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+90.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW18NK80Z ST

  • MOSFET N CH 800V 10.5A TO-247
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Typ Voltage Vds:800V
  • Cont Current Id:10A
  • On State Resistance:340mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C

Інші пропозиції STW18NK80Z

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW18NK80Z STM stw18nk80z.pdf description N-кан. MOSFET, 800V, 0.38 Ом, 17A, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK80Z STW18NK80Z STMicroelectronics en.CD00003384.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK80Z STW18NK80Z STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00003384-1205337.pdf description MOSFETs N-Ch 800 Volt 18 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK80Z description stw18nk80z.pdf
Виробник: STM
N-кан. MOSFET, 800V, 0.38 Ом, 17A, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK80Z description en.CD00003384.pdf
STW18NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK80Z description stmicroelectronics_cd00003384-1205337.pdf
STW18NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 18 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.