STW18NM60N STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 396.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW18NM60N STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STW18NM60N за ціною від 114.06 грн до 512.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V |
на замовлення 524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STW18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STW18NM60N THT N channel transistors |
на замовлення 56 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
STW18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STW18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STW18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STW18NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh |
товару немає в наявності |