STW18NM80 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 531.59 грн |
| 30+ | 265.00 грн |
| 120+ | 249.43 грн |
| 510+ | 229.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW18NM80 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STW18NM80
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
STW18NM80 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V MDMesh |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STW18NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V MDMesh
MOSFETs N-channel 800 V MDMesh
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



