Продукція > STMICROELECTRONICS > STW20N90K5
STW20N90K5

STW20N90K5 STMicroelectronics

stw20n90k5.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Pulsed drain current: 80A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+519.06 грн
5+393.29 грн
10+348.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW20N90K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm.

Інші пропозиції STW20N90K5 за ціною від 259.87 грн до 556.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW20N90K5 STW20N90K5 STMicroelectronics en.DM00281603.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+556.05 грн
30+309.55 грн
120+259.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5 STW20N90K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006491473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5 STW20N90K5 STMicroelectronics en.DM00281603.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5 en.DM00281603.pdf
STW20N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+556.05 грн
30+309.55 грн
120+259.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5 SGST-S-A0006491473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STW20N90K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20N90K5 en.DM00281603.pdf
STW20N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.