
STW20N95K5 STMicroelectronics
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
600+ | 262.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW20N95K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW20N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.275 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW20N95K5 за ціною від 218.95 грн до 589.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW20N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW20N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW20N95K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW20N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW20N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW20N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
STW20N95K5 Код товару: 184909
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
STW20N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STW20N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STW20N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STW20N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 275mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STW20N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 11A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 275mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |