STW20NM50FD STMicroelectronics
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 147.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW20NM50FD STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM50FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.
Інші пропозиції STW20NM50FD за ціною від 147.44 грн до 578.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STW20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp |
на замовлення 1138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW20NM50FD | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM50FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW20NM50FD | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 250mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM50FD TSTW20NM50FD кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STW20NM50FD Код товару: 180604 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
STW20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STW20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
STW20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
STW20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
STW20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |