Інші пропозиції STW20NM60 за ціною від 171.50 грн до 629.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW20NM60 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STW20NM60 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STW20NM60 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 192W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STW20NM60 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 10 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STW20NM60 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 192W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| STW20NM60 |
STW20NM60 Транзисторы MOS FET |
на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STW20NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 62+ | 236.31 грн |
| 67+ | 220.30 грн |
| 120+ | 210.23 грн |
| 510+ | 188.33 грн |
| STW20NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 238.71 грн |
| 30+ | 237.72 грн |
| 60+ | 221.62 грн |
| 120+ | 211.48 грн |
| 510+ | 189.46 грн |
| STW20NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 192W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 540.37 грн |
| 6+ | 180.84 грн |
| 15+ | 171.50 грн |
| STW20NM60 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 10 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 629.35 грн |
| 10+ | 415.30 грн |
| 100+ | 290.41 грн |
| 600+ | 258.06 грн |
| 1200+ | 230.97 грн |
| STW20NM60 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






