Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW20NM60

STW20NM60

en.CD00002505.pdf
Код товару: 161796
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW20NM60 за ціною від 190.50 грн до 513.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW20NM60 STW20NM60 STMicroelectronics en.cd00002505.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.80 грн
10+269.53 грн
100+223.81 грн
600+207.41 грн
1200+190.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 STW20NM60 STMicroelectronics en.cd00002505.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+354.52 грн
53+270.84 грн
100+224.90 грн
600+208.42 грн
1200+191.43 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 STW20NM60 STMicroelectronics en.CD00002505.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.15 грн
30+273.86 грн
120+229.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 STW20NM60 STMicroelectronics en.CD00002505.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+513.72 грн
10+290.85 грн
100+211.80 грн
600+194.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 STW20NM60 STMICROELECTRONICS SGSTS27712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.72 грн
10+295.06 грн
100+247.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 en.CD00002505.pdf STW20NM60 Транзисторы MOS FET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 en.cd00002505.pdf
STW20NM60
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+352.80 грн
10+269.53 грн
100+223.81 грн
600+207.41 грн
1200+190.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 en.cd00002505.pdf
STW20NM60
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+354.52 грн
53+270.84 грн
100+224.90 грн
600+208.42 грн
1200+191.43 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 en.CD00002505.pdf
STW20NM60
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+496.15 грн
30+273.86 грн
120+229.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 en.CD00002505.pdf
STW20NM60
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+513.72 грн
10+290.85 грн
100+211.80 грн
600+194.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 SGSTS27712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STW20NM60
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+513.72 грн
10+295.06 грн
100+247.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW20NM60 en.CD00002505.pdf
STW20NM60 Транзисторы MOS FET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.