STW20NM60FD
Код товару: 1135
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 20 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,29 Ом
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STW20NM60FD за ціною від 134.64 грн до 566.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW20NM60FD | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW20NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW20NM60FD | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW20NM60FD | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 630 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW20NM60FD | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
STW20NM60FD | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STW20NM60FD |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 106+ | 134.64 грн |
| STW20NM60FD |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 214W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 499.49 грн |
| 2+ | 431.62 грн |
| 6+ | 170.01 грн |
| 16+ | 160.93 грн |
| STW20NM60FD |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 522.96 грн |
| 30+ | 289.67 грн |
| 60+ | 264.20 грн |
| 120+ | 227.81 грн |
| 510+ | 195.52 грн |
| STW20NM60FD |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 630 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 566.53 грн |
| 10+ | 293.52 грн |
| 100+ | 234.76 грн |
| 600+ | 215.01 грн |
| STW20NM60FD |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STW20NM60FD |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)