STW20NM60FD STMicroelectronics
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 64+ | 198.42 грн |
| 78+ | 164.03 грн |
| 100+ | 159.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW20NM60FD STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STW20NM60FD за ціною від 172.66 грн до 642.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STW20NM60FD | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW20NM60FD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW20NM60FD | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STW20NM60FD | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 214W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 214W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW20NM60FD | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STW20NM60FD | Виробник : ST |
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 290mOhm; 20A; 214W; -65°C ~ 150°C; STW20NM60FD STMicroelectronics TSTW20NM60fd кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
STW20NM60FD Код товару: 1135
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 600 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
STW20NM60FD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
STW20NM60FD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STW20NM60FD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STW20NM60FD | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp |
товару немає в наявності |