
STW21N150K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3145 pF @ 100 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1049.50 грн |
30+ | 616.76 грн |
120+ | 558.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW21N150K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW21N150K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 14 A, 0.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW21N150K5 за ціною від 484.34 грн до 1265.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW21N150K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1500V; 8.7A; 446W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 8.7A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW21N150K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW21N150K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW21N150K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1500V; 8.7A; 446W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 8.7A Power dissipation: 446W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW21N150K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STW21N150K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STW21N150K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |