Технічний опис STW21N90K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW21N90K5 за ціною від 329.52 грн до 557.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW21N90K5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STW21N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 11.6A Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 250W Version: ESD Technology: SuperMESH5™ |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STW21N90K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STW21N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 329.52 грн |
| STW21N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 900V; 11.6A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11.6A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 557.00 грн |
| 5+ | 462.20 грн |
| 10+ | 414.79 грн |
| 30+ | 369.08 грн |
| STW21N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
MOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)