STW21NM50N
Код товару: 57941
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 18 A
Примітка: MOSFET N-канал
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STW21NM50N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STW21NM50N | STM |
N-кан. MOSFET 550V, 18A, 0.15 Ом, 214Вт, TO-247 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
STW21NM50N | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
STW21NM50N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| STW21NM50N |
|
Виробник: STM
N-кан. MOSFET 550V, 18A, 0.15 Ом, 214Вт, TO-247 Транзистори
N-кан. MOSFET 550V, 18A, 0.15 Ом, 214Вт, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STW21NM50N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STW21NM50N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh
MOSFETs N-Ch 500 V 0.15 Ohm 18 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.