STW24N60M6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 256.92 грн |
| 10+ | 186.19 грн |
| 100+ | 129.67 грн |
| 600+ | 103.59 грн |
| 1200+ | 99.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW24N60M6 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 10.7A, Pulsed drain current: 52.5A, Power dissipation: 130W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 162mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 23nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції STW24N60M6 за ціною від 134.76 грн до 302.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STW24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
STW24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STW24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STW24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.7A Pulsed drain current: 52.5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 162mΩ Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |