
STW24N60M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 212.76 грн |
10+ | 157.56 грн |
100+ | 126.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW24N60M6 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 10.7A, Pulsed drain current: 52.5A, Power dissipation: 130W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 162mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 23nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції STW24N60M6 за ціною від 110.82 грн до 227.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STW24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STW24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STW24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.7A Pulsed drain current: 52.5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 162mΩ Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STW24N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.7A Pulsed drain current: 52.5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 162mΩ Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |