
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 490.62 грн |
10+ | 405.96 грн |
25+ | 333.19 грн |
100+ | 285.49 грн |
250+ | 253.93 грн |
600+ | 217.24 грн |
1200+ | 216.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW24NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STW24NM60N за ціною від 245.50 грн до 530.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
STW24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
STW24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
STW24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 168mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
STW24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 168mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |