| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 467.16 грн |
| 10+ | 386.55 грн |
| 25+ | 317.27 грн |
| 100+ | 271.84 грн |
| 250+ | 241.79 грн |
| 600+ | 206.85 грн |
| 1200+ | 206.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW24NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STW24NM60N за ціною від 219.45 грн до 474.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| STW24NM60N | Виробник : STM |
MOSFET N-CH 600V 17A TO247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
STW24NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 168mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |


