STW24NM65N
Виробник:
на замовлення 11589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW24NM65N
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STW24NM65N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STW24NM65N | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
STW24NM65N | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 650V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| STW24NM65N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STW24NM65N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650V
MOSFET N-channel 650V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.