STW25N60M2-EP STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 289.59 грн |
| 10+ | 188.43 грн |
| 100+ | 115.74 грн |
| 600+ | 92.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW25N60M2-EP STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW25N60M2-EP за ціною від 134.03 грн до 300.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW25N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V |
на замовлення 552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| STW25N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247 Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC On-state resistance: 0.175Ω Drain current: 11.3A Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 150W Pulsed drain current: 72A Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT |
товару немає в наявності |