
STW25N80K5 STMicroelectronics
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 232.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW25N80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW25N80K5 за ціною від 212.83 грн до 572.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW25N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STW25N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
STW25N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
STW25N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 12.3A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
STW25N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 12.3A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |