STW25N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 457.20 грн |
| 30+ | 321.42 грн |
| 120+ | 271.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW25N80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STW25N80K5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STW25N80K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5 |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STW25N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
MOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)