Технічний опис STW25NM60N STM
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STW25NM60N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STW25NM60N | Виробник : ST |
 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
STW25NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STW25NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
 |
STW25NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh |
товару немає в наявності |