STW25NM60ND

STW25NM60ND STMicroelectronics


sgsts30526_1-2282534.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+671.4 грн
10+ 598.08 грн
25+ 496.04 грн
100+ 430.61 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW25NM60ND STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STW25NM60ND за ціною від 249.46 грн до 249.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW25NM60ND Виробник : ST stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 160mOhm; 21A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW25NM60ND TSTW25NM60ND
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+249.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW25NM60ND STW25NM60ND
Код товару: 118445
stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STW25NM60ND Виробник : STMicroelectronics 704237374622254cd00176800.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW25NM60ND STW25NM60ND Виробник : STMicroelectronics 704237374622254cd00176800.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW25NM60ND STW25NM60ND Виробник : STMicroelectronics stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
товар відсутній