Продукція > STMICROELECTRONICS > STW26NM60N
STW26NM60N

STW26NM60N STMicroelectronics

457761520311195dm0009.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW26NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STW26NM60N за ціною від 136.24 грн до 691.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW26NM60N STW26NM60N Виробник : STMicroelectronics STW26NM60N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+363.95 грн
6+151.73 грн
17+143.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N Виробник : STMicroelectronics STW26NM60N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.74 грн
6+189.08 грн
17+171.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N Виробник : STMicroelectronics 457761520311195dm0009.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+533.67 грн
10+352.26 грн
50+285.80 грн
100+272.88 грн
500+250.09 грн
1000+210.40 грн
2500+206.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N Виробник : STMicroelectronics 457761520311195dm0009.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+552.06 грн
34+364.40 грн
50+295.65 грн
100+282.29 грн
500+258.71 грн
1000+217.66 грн
2500+213.53 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N Виробник : STMicroelectronics STW26NM60N.pdf Description: N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+557.86 грн
30+321.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+599.16 грн
10+468.76 грн
100+338.37 грн
500+266.68 грн
1000+241.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N Виробник : STMicroelectronics stw26nm60n-1852251.pdf MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+691.79 грн
25+377.33 грн
100+300.89 грн
250+267.79 грн
1200+244.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N Виробник : ST STW26NM60N.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 165mOhm; 20A; 140W; -55°C ~ 150°C; STW26NM60N TSTW26NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+136.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N STW26NM60N Виробник : STMicroelectronics 457761520311195dm0009.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW26NM60N Виробник : STMicroelectronics 457761520311195dm0009.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.