Продукція > STMICROELECTRONICS > STW28N60DM2
STW28N60DM2

STW28N60DM2 STMicroelectronics

ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.46 грн
30+173.40 грн
120+149.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW28N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW28N60DM2 за ціною від 133.89 грн до 409.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW28N60DM2 STW28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stb28n60dm2-1850279.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+409.41 грн
25+225.89 грн
100+161.85 грн
250+137.57 грн
600+133.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60DM2 STW28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 5281stb28n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60DM2 STW28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 5281stb28n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 5281stb28n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stw28n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stw28n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.