STW28N60M2

STW28N60M2 STMICROELECTRONICS


2310309.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+254.40 грн
10+172.07 грн
100+160.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW28N60M2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STW28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STW28N60M2 за ціною від 115.22 грн до 328.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW28N60M2 STW28N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00095328.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.10 грн
30+156.64 грн
120+130.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 STW28N60M2 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7975CB8F4DA9E28&compId=STx28N60M2-DTE.pdf?ci_sign=df0efbd07c4977842c9371e9e730180eb67694e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.33 грн
6+164.37 грн
16+155.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 STW28N60M2 Виробник : STMicroelectronics stb28n60m2-1850199.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.69 грн
25+187.37 грн
100+135.04 грн
250+126.97 грн
600+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 STW28N60M2 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7975CB8F4DA9E28&compId=STx28N60M2-DTE.pdf?ci_sign=df0efbd07c4977842c9371e9e730180eb67694e4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+328.00 грн
6+204.82 грн
16+186.23 грн
60+183.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 STW28N60M2 Виробник : STMicroelectronics 39701715991589376dm00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 STW28N60M2 Виробник : STMicroelectronics 39701715991589376dm00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2
Код товару: 123683
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00095328.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 STW28N60M2 Виробник : STMicroelectronics 39701715991589376dm00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 STW28N60M2 Виробник : STMicroelectronics 39701715991589376dm00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 Виробник : STMicroelectronics 39701715991589376dm00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.