STW28N65M2 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 199.68 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
600 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW28N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW28N65M2 за ціною від 125.94 грн до 388.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW28N65M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW28N65M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW28N65M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW28N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Case: TO247 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.18Ω Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 170W Technology: MDmesh™ M2 Gate-source voltage: ±25V Kind of package: tube Version: ESD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW28N65M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STW28N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package |
на замовлення 528 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| STW28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 199.68 грн |
| STW28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 206.92 грн |
| 10+ | 181.81 грн |
| 100+ | 172.37 грн |
| STW28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 71+ | 207.57 грн |
| 80+ | 182.37 грн |
| 100+ | 172.90 грн |
| STW28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Case: TO247
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.18Ω
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Technology: MDmesh™ M2
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Case: TO247
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.18Ω
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Technology: MDmesh™ M2
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 352.91 грн |
| 3+ | 292.59 грн |
| 5+ | 210.66 грн |
| 13+ | 198.96 грн |
| 30+ | 196.45 грн |
| STW28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 362.53 грн |
| 30+ | 194.77 грн |
| 60+ | 176.32 грн |
| 120+ | 150.90 грн |
| 510+ | 127.50 грн |
| STW28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 528 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 388.92 грн |
| 10+ | 193.39 грн |
| 100+ | 153.35 грн |
| 600+ | 129.64 грн |
| 1200+ | 128.90 грн |
| 3000+ | 125.94 грн |






