STW30N65M5

STW30N65M5 STMicroelectronics


stb30n65m5-1850253.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.05 грн
25+257.19 грн
100+199.37 грн
250+187.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW30N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW30N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).

Інші пропозиції STW30N65M5 за ціною від 228.74 грн до 538.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW30N65M5 STW30N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00223067.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.38 грн
30+273.96 грн
120+228.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 STW30N65M5 Виробник : STMICROELECTRONICS en.CD00223067.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW30N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+510.03 грн
5+472.06 грн
10+413.47 грн
50+344.08 грн
100+294.27 грн
250+288.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00223067.pdf STW30N65M5 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.75 грн
4+324.62 грн
10+307.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 STW30N65M5
Код товару: 107383
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00223067.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 STW30N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1684757472877372cd0022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1684757472877372cd0022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.