Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW30N65M5

STW30N65M5

en.CD00223067.pdf
Код товару: 107383
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW30N65M5 за ціною від 170.02 грн до 463.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW30N65M5 STW30N65M5 STMicroelectronics stw30n65m5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 64nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+433.45 грн
5+327.18 грн
10+288.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 STW30N65M5 STMicroelectronics en.CD00223067.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.77 грн
30+254.50 грн
120+212.17 грн
510+170.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 STW30N65M5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001364995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW30N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 STW30N65M5 STMicroelectronics en.CD00223067.pdf MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 stw30n65m5.pdf
STW30N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 64nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+433.45 грн
5+327.18 грн
10+288.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 en.CD00223067.pdf
STW30N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+463.77 грн
30+254.50 грн
120+212.17 грн
510+170.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 SGST-S-A0001364995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STW30N65M5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW30N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW30N65M5 en.CD00223067.pdf
STW30N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.