STW30NM50N

STW30NM50N STMicroelectronics


stw30nm50n.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 50 V
на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+571.57 грн
10+ 471.88 грн
100+ 393.23 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW30NM50N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STW30NM50N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW30NM50N STW30NM50N
Код товару: 52506
stw30nm50n.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній