STW31N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 322.80 грн |
| 10+ | 304.68 грн |
| 25+ | 223.84 грн |
| 100+ | 191.55 грн |
| 250+ | 171.00 грн |
| 600+ | 146.78 грн |
| 1200+ | 134.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW31N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW31N65M5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STW31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
| STW31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STW31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STW31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.9A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 148mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
STW31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
STW31N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.9A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 148mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |