Технічний опис STW31N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW31N65M5 за ціною від 187.47 грн до 317.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW31N65M5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STW31N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.9A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 148mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
STW31N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STW31N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 187.47 грн |
| STW31N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 13.9A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 317.25 грн |
| 3+ | 260.73 грн |
| 10+ | 210.78 грн |
| STW31N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)