STW33N60DM2

STW33N60DM2 STMICROELECTRONICS


ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+398.33 грн
10+344.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW33N60DM2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STW33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STW33N60DM2 за ціною від 160.14 грн до 511.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW33N60DM2 STW33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stw33n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+426.26 грн
4+283.70 грн
9+268.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2 STW33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.17 грн
30+239.83 грн
120+199.90 грн
510+160.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2 STW33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stw33n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.51 грн
4+353.54 грн
9+322.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2 STW33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stb33n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stb33n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW33N60DM2 STW33N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stb33n60dm2-1850172.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.