STW33N60DM2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15.5A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 280.12 грн |
| 10+ | 240.41 грн |
| 30+ | 239.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW33N60DM2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW33N60DM2 за ціною від 193.00 грн до 424.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STW33N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15.5A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW33N60DM2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW33N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW33N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STW33N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STW33N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STW33N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package |
товару немає в наявності |