STW34N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 452.58 грн |
10+ | 375.84 грн |
25+ | 200.61 грн |
100+ | 199.94 грн |
250+ | 194.63 грн |
600+ | 190.64 грн |
1200+ | 188.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW34N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 28A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW34N65M5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
STW34N65M5 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
STW34N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.7A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
STW34N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 28A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V |
товар відсутній |
||
STW34N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.7A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |