STW34N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 590.80 грн |
| 25+ | 357.01 грн |
| 100+ | 264.21 грн |
| 250+ | 245.86 грн |
| 600+ | 212.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW34N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 28A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW34N65M5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STW34N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
| STW34N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STW34N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.7A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
STW34N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 28A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
STW34N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.7A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V |
товару немає в наявності |