Продукція > STMICROELECTRONICS > STW34N65M5

STW34N65M5 STMicroelectronics

Name: STW34N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 14629448-4
Price: 560.86 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

на замовлення 335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	560.86 грн
25+	338.92 грн
100+	250.82 грн
250+	233.40 грн
600+	202.05 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STW34N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 28A TO247, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ).

Інші пропозиції STW34N65M5

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	STW34N65M5	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 650V 28A TO247 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	STW34N65M5	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.7A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.