Продукція > STMICROELECTRONICS > STW34N65M5
STW34N65M5

STW34N65M5 STMicroelectronics

stb34n65m5-1850227.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW34N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 28A TO247, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ).

Інші пропозиції STW34N65M5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW34N65M5 STW34N65M5 STMicroelectronics en.DM00049181.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34N65M5 STW34N65M5 STMicroelectronics STx34N65M5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: MDmesh™ V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34N65M5 STW34N65M5 STMicroelectronics 1031dm00049181.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW34N65M5 en.DM00049181.pdf
STW34N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34N65M5 STx34N65M5-DTE.pdf
STW34N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 17.7A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.7A
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 190W
Technology: MDmesh™ V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34N65M5 1031dm00049181.pdf
STW34N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.