Інші пропозиції STW34NB20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STW34NB20 | STMicroelectronics |
N-канальный ПТ, Rds = 75 мОм, Vdss В = 200, Id = 34 А, Ptot, Вт = 180, Qg,нКл = 80, Tэксп, °C = -65...+150, Vgs(th) = 5 В (при 250 мкА), Тип монт. = выводной,... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шткількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
STW34NB20 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. |
|
STW34NB20 | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 200 Volt 34 Amp |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| STW34NB20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
N-канальный ПТ, Rds = 75 мОм, Vdss В = 200, Id = 34 А, Ptot, Вт = 180, Qg,нКл = 80, Tэксп, °C = -65...+150, Vgs(th) = 5 В (при 250 мкА), Тип монт. = выводной,... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
N-канальный ПТ, Rds = 75 мОм, Vdss В = 200, Id = 34 А, Ptot, Вт = 180, Qg,нКл = 80, Tэксп, °C = -65...+150, Vgs(th) = 5 В (при 250 мкА), Тип монт. = выводной,... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STW34NB20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STW34NB20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 200 Volt 34 Amp
MOSFET N-Ch 200 Volt 34 Amp
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




