STW34NM60N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 566.70 грн |
| 10+ | 360.04 грн |
| 30+ | 325.63 грн |
| 60+ | 304.65 грн |
| 90+ | 292.90 грн |
| 120+ | 284.51 грн |
| 150+ | 277.80 грн |
| 300+ | 256.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW34NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STW34NM60N за ціною від 345.13 грн до 903.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STW34NM60N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW34NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.092 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STW34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STW34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STW34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STW34NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STW34NM60N Код товару: 55857
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|