Продукція > STMICROELECTRONICS > STW34NM60ND
STW34NM60ND

STW34NM60ND STMicroelectronics

1524135947840382cd002.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+474.15 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW34NM60ND STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STW34NM60ND за ціною від 344.52 грн до 913.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW34NM60ND STW34NM60ND Виробник : STMicroelectronics STx34NM60ND-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.09 грн
2+479.47 грн
10+426.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND STW34NM60ND Виробник : STMicroelectronics sgsts50105-1.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+750.89 грн
10+402.63 грн
100+344.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND STW34NM60ND Виробник : STMicroelectronics STx34NM60ND_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+818.41 грн
30+471.09 грн
120+401.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND STW34NM60ND Виробник : STMicroelectronics 1524135947840382cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+850.39 грн
26+498.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND STW34NM60ND Виробник : STMicroelectronics 1524135947840382cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+913.42 грн
25+534.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND STW34NM60ND Виробник : STMicroelectronics 1524135947840382cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.