Продукція > STMICROELECTRONICS > STW34NM60ND
STW34NM60ND

STW34NM60ND STMicroelectronics

1524135947840382cd002.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW34NM60ND STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STW34NM60ND за ціною від 243.87 грн до 811.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW34NM60ND STW34NM60ND Виробник : STMicroelectronics STx34NM60ND-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+366.37 грн
4+257.63 грн
10+243.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND STW34NM60ND Виробник : STMicroelectronics STx34NM60ND-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.64 грн
4+321.05 грн
10+292.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND STW34NM60ND Виробник : STMicroelectronics STx34NM60ND_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+745.46 грн
30+411.07 грн
120+402.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND STW34NM60ND Виробник : STMicroelectronics sgsts50105_1-2282691.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+811.70 грн
25+483.61 грн
100+399.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND STW34NM60ND Виробник : STMicroelectronics 1524135947840382cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW34NM60ND Виробник : STMicroelectronics 1524135947840382cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.