STW35N60DM2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 478.66 грн |
| 5+ | 444.83 грн |
| 10+ | 410.17 грн |
| 50+ | 269.75 грн |
| 100+ | 248.29 грн |
| 250+ | 247.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW35N60DM2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW35N60DM2 за ціною від 160.00 грн до 496.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW35N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW35N60DM2 Код товару: 123684
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 600 V Idd,A: 28 A Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2400/54 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||
 |
STW35N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STW35N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STW35N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STW35N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A Power dissipation: 210W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 94mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STW35N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
STW35N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A Power dissipation: 210W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 94mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |