Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW35N60DM2
STW35N60DM2

STW35N60DM2

endm00226246-datasheet.pdf
Код товару: 123684
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 600 V
Струм стоку Idd, A: 28 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2400/54
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+160.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW35N60DM2 за ціною від 198.57 грн до 369.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW35N60DM2 STW35N60DM2 STMICROELECTRONICS STW35N60DM2.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.03 грн
5+341.39 грн
10+313.76 грн
50+266.44 грн
100+222.26 грн
250+198.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2 STW35N60DM2 STMicroelectronics STW35N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2 STW35N60DM2.pdf
STW35N60DM2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+369.03 грн
5+341.39 грн
10+313.76 грн
50+266.44 грн
100+222.26 грн
250+198.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2 STW35N60DM2.pdf
STW35N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.