Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW35N60DM2
STW35N60DM2

STW35N60DM2

endm00226246-datasheet.pdf
Код товару: 123684
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,11 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/54
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+160.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW35N60DM2 за ціною від 160.45 грн до 462.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW35N60DM2 STW35N60DM2 STMicroelectronics STW35N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
на замовлення 10 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+462.38 грн
10+262.75 грн
100+195.21 грн
600+160.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2 STW35N60DM2 STMICROELECTRONICS 2309348.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2 STW35N60DM2.pdf
STW35N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
на замовлення 10 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+462.38 грн
10+262.75 грн
100+195.21 грн
600+160.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2 2309348.pdf
STW35N60DM2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.