Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW35N60DM2
STW35N60DM2

STW35N60DM2

endm00226246-datasheet.pdf
Код товару: 123684
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,11 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2400/54
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+160.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW35N60DM2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW35N60DM2 STW35N60DM2 STMICROELECTRONICS STW35N60DM2.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2 STW35N60DM2 STMicroelectronics STW35N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2 STW35N60DM2.pdf
STW35N60DM2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW35N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW35N60DM2 STW35N60DM2.pdf
STW35N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.