STW36N60M6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 507.08 грн |
| 30+ | 280.41 грн |
| 120+ | 234.72 грн |
| 510+ | 188.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW36N60M6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW36N60M6 за ціною від 197.77 грн до 525.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW36N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package |
на замовлення 2819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW36N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STW36N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 102A Power dissipation: 208W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |