Продукція > STMICROELECTRONICS > STW36NM60ND
STW36NM60ND

STW36NM60ND STMICROELECTRONICS

STx36NM60ND_DS.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW36NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+353.22 грн
10+321.86 грн
30+295.45 грн
120+268.98 грн
270+247.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW36NM60ND STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STW36NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 190W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh II, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).

Інші пропозиції STW36NM60ND за ціною від 289.12 грн до 416.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW36NM60ND STW36NM60ND Виробник : STMicroelectronics sgsts50125_1-2282663.pdf MOSFET Auto-grade N-CH 600V 0.097Ohm typ 29A
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.27 грн
10+375.64 грн
100+307.52 грн
250+306.78 грн
600+299.42 грн
1200+293.54 грн
3000+289.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60ND STW36NM60ND Виробник : STMicroelectronics 827052901214566dm00067726.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60ND Виробник : STMicroelectronics 827052901214566dm00067726.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW36NM60ND STW36NM60ND Виробник : STMicroelectronics STx36NM60ND_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.