STW38NB20
Виробник:
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW38NB20
Description: MOSFET N-CH 200V 38A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STW38NB20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STW38NB20 | Виробник : STMicroelectronics |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 38 A, Ptot, Вт = 180, Тип монт. = вивідний, Qg, нКл = 95, Rds = 65 мОм, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 10,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
STW38NB20 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 38A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STW38NB20 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET |
товару немає в наявності |