Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW3N150

STW3N150

en.CD00149569.pdf
Код товару: 194243
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW3N150 за ціною від 164.66 грн до 450.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW3N150 STW3N150 STMicroelectronics STP3N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Technology: PowerMesh™
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+351.91 грн
5+215.09 грн
10+201.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150 STW3N150 STMicroelectronics en.CD00149569.pdf Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.03 грн
30+198.99 грн
120+164.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150 STW3N150 STMicroelectronics en.cd00149569.pdf Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+450.64 грн
50+440.29 грн
100+232.15 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150 STW3N150 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0010496186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW3N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 1.3 A, 6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150 STW3N150 STMicroelectronics en.CD00149569.pdf MOSFETs 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150 STP3N150.pdf
STW3N150
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 1.6A; 140W; TO247
Technology: PowerMesh™
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+351.91 грн
5+215.09 грн
10+201.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150 en.CD00149569.pdf
STW3N150
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+368.03 грн
30+198.99 грн
120+164.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150 en.cd00149569.pdf
STW3N150
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+450.64 грн
50+440.29 грн
100+232.15 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150 SGST-S-A0010496186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STW3N150
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW3N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 1.3 A, 6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N150 en.CD00149569.pdf
STW3N150
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.